在最新一届IEEE国际电子器件会议IEDM 2024上，Intel代工展示了其在半导体制程工艺领域的四大重要突破。这些突破涵盖了新材料、异构封装、全环绕栅极(GAA)等多个前沿领域，对于实现到2030年在单个芯片上封装1万亿个晶体管的宏伟目标至关重要。
1. 减成法钌互连技术：这项技术采用了新型金属化材料——钌，并结合薄膜电阻率和空气间隙，实现了在互连微缩方面的重大进步。在间距小于或等于25纳米时，通过引入空气间隙，可以使线间电容最高降低25%，从而替代铜镶嵌工艺的优势。
2. 选择性层转移（SLT）技术：这是一种异构集成解决方案，能够以更高的灵活性集成超薄芯粒。相比传统的芯片到晶圆键合技术，SLT技术能显著缩小芯片尺寸并提高纵横比，同时将芯片封装中的吞吐量提升高达100倍。
3. 硅基RibbonFET CMOS晶体管：Intel代工展示了栅极长度为6纳米的硅基RibbonFET CMOS晶体管，这一创新在大幅缩短栅极长度、减少沟道厚度的同时，对短沟道效应的抑制和性能也达到了业界领先水平。
4. 2D GAA晶体管的栅氧化层技术：为了加速GAA技术的创新，Intel代工展示了在2D GAA NMOS和PMOS晶体管制造方面的研究，侧重于栅氧化层模块的研发，将晶体管的栅极长度缩小到了30纳米。此外，2D TMD（过渡金属二硫化物）研究也取得了新进展，未来有望在先进晶体管工艺中替代硅。
此外，Intel代工还在300毫米GaN（氮化镓）方面持续推进开拓性的研究，制造了业界领先的高性能微缩增强型GaN MOSHEMT，有助于减少信号损失，提高信号线性度，并提供基于衬底背部处理的先进集成方案。
