近日，有消息透露，三星电子目前也在开发低延迟宽IO（LLW）DRAM，并计划于明年年底量产。
目前移动电子设备常见的内存芯片为LPDDR，与之相比，LLW DRAM通过扩展输入/输出（I/O)路径来增加带宽，由于带宽与传输速度成正比，因此这种类型的DRAM能进一步提高处理设备实时生成数据的时效。
据了解，LLW DRAM不仅可用于新一代XR终端设备，此外，它还能用于搭载终端侧AI的产品当中。与云端AI不同，终端侧AI需要直接在设备端执行数亿次指令，为了快速处理大量数据而不消耗过多电量，用于增强辅助计算的DRAM显得至关重要。
其他方面，三星电子自2020年以来一直在开发轻量级On-Device AI算法，并将其应用于片上系统 (SoC)、内存和传感器，它可增强其在On-Device AI半导体领域的竞争力。算法将率先用于三星内部开发的生成式AI模型“高斯”并预计将于明年全面占领市场。
