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[数码讨论]从“卡脖子”到弯道超车!中国光刻胶实现新突破,再不怕日本断供 [12P] [复制链接]

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— 本帖被 wowoni 从 无奇不有 移动到本区(2024-12-10) —

随着科技的发展,我国在诸多高科技领域已然成为“龙头”,不过与之相反的另一个极端,那就是也应该看到在个别领域一直以来也有处于被外国“卡脖子”的境遇。作为各种高端芯片,比如半导体芯片生产中的关键技术——光刻,正是其中之一!

对于光刻技术来说,最大的应用肯定就是在制作各种高端芯片的光刻机上,而对于光刻的关键则在于光刻胶。没有了光刻胶的光刻机无异于一堆废铁,好在就在日前的时候,我国传来了好消息:在这一领域有了新突破,成功实现了弯道超车!

那么,这究竟是怎么回事呢?这一项新技术成就,真的能解决我国“断供隐患”吗?这一点,又引发了诸多人的深入探讨。

“卡脖子”与弯道超车,光刻胶究竟有多重要?

需要有一个清晰认知的是,一直以来,很多人最担心的就是光刻方面的最大生产商日本企业突然断供。确实,之所以有这样的担忧也不是没有“空穴来风”,据相关数据统计,日本是全球最大的光刻胶生产商,号称掌握了全球90%供应量。

光刻胶是光刻生产中,乃至各种高端芯片的制造都绕不开的存在,但是除了由日本的“独霸”地位外,国际上还有不少打压的势力。就比如:美国的疯狂打压,不让外商卖给我们光刻机,高端芯片也更是限制对我国出口。毫无疑问,这对于曾经的我国来说无疑处境艰难。

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光刻胶,其实又称为光致抗蚀剂,简单来说就是通过紫外线光、电子束、离子束、X射线等等的照射,使得溶解度发生变化的特殊材料。它在高端芯片材料制造过程时尤为重要,有了它才能在各种材料实现在表面得到所需要的图像。

就应用领域来说,同样非常广泛。而这一点则是源于光刻胶的品种规格多样,在电子集成制造中能应用到各种细微材料的图形加工中,就比如:显示面板、集成电路以及各种分立器件等都离不开它。

对于光刻胶来说,它的重要性还体现在它的稀有性!首先,它的生产技术是比较复杂的,这也导致现目前能拥有这一先进技术的国家屈指可数,它的质量和性能,直接关系着集成电路电性、成品率以及可靠性等关键因素。

其次,就是它其实属于消耗品,有严格的保质期,并且是短短的半年。所以,这意味着光刻胶可以用旧的,或者说重复可持续使用。

再者,它的重要性对于我国来说,更是源于巨大的国内需求缺口!

据SEMI数据,就2022年来说,全球的半导体光刻胶市场规模是在26.4亿美元,而我国大陆就有5.93亿美元,占据超半壁江山。总体来看,2022年中国光刻胶的市场规模统计数据是在98.6亿元,但是目前我国的光刻胶行业的需求量是远大于产量的。

而按照《中国制造2025》文件来说,我国集成电路的产值是预计达到1837亿美元,满足国内75%的市场需求。再加之对比2023年底开始不少日企提价10%-20%的“骚操作”,所以,对于我国而言光刻胶的技术突破至关重要。

中国光刻胶技术实现弯道超车!不怕日本断供或还反向“卡西方脖子”

据悉,中国实现光刻胶技术的新突破就在日前。他们是来自华中科技大学和湖北九峰山实验室组成的联合研究院队,目前已经将他们在“双非离子型光酸协同增强响应的化学放大光刻胶”技术的突破性成果发表在了《化学工程杂志》上。

光刻胶的重要性相信在有了一定了解后也都知道了,但是光刻胶的难点又在哪里呢?按照相关领域的专家说法,共性难题其实主要集中在当半导体制造的节点进入到100纳米甚至10纳米以下时,此时想要产生分辨率高并且截面形貌优良、线边缘粗糙度低的光刻图形就非常难。

也正是基于这一难题,我国的专家团队则是通过巧妙的化学结构设计,用了两种光敏单元构建,终于最终得到了性能优于大多数商用光刻胶的新技术。更为难得的是,它的成功同时也为EUV光刻胶的着力开发做了技术储备,在产线上完整了初步工艺验证,完成了各项技术指标的检测优化,实现了技术开发到成果转化的全链条。

显然,对比就技术掌握在别人手里的无力感,怎么有自己拥有更得心应手?我们可以有了而不用,但是也不能手上没有,受别人掌控。

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就此次的光刻胶技术来说,我国的这一研究团队确实功不可没,成果斐然,不少网友也是纷纷点赞。如果说以前这项技术属于被日本卡脖子的话,那现如今不仅仅是发表论文,还有了实际生产,完全是实现绝地反超。从这一点来说,对于很多以前以此相要挟的西方国家来说可能还是反向卡脖子的成就。

总结

在全球化的今天,虽然说我们需要加强国际合作,但是对于某些尖端技术还是需要牢牢掌握在自己手中。就拿此前的华为被断供芯片的风波来说,如若不是有可替代的技术,完全有可能一击即溃,让美国得逞。

光刻胶很重要,与之紧密相关的为新技术不断钻研,超越别国技术,防止技术制裁的决心更为可贵。为我国不断致力于各行各业,这些努力突破的人们点赞!

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只看该作者 沙发  发表于: 12-10
  最近中国在光刻胶技术方面取得了重大突破。这项技术由华中科技大学和湖北九峰山实验室组成的联合研究团队开发,成功研制出了一种新型的光刻胶,这种光刻胶具有高分辨率、优良截面形貌和低线边缘粗糙度,性能优于大多数商用光刻胶。

  光刻胶是光刻技术中的关键材料,它通过紫外光、深紫外光、电子束、离子束、X射线等光照或辐射后,溶解度发生变化,从而在半导体制造过程中起到关键作用。此次技术突破有望解决光刻制造中的共性难题,对于中国半导体产业的发展具有重要意义。

  目前,中国的光刻胶自给率仍然较低,特别是在高端光刻胶领域。例如,EUV光刻胶的自给率为0%,ArF为1%,KrF为5%。但随着国内光刻胶企业的崛起和技术进步,中国已成为全球最大的光刻胶市场之一。

  总体来看,这一技术突破不仅有助于提高中国在全球半导体产业中的地位,也有助于减少对外部高端光刻胶的依赖,从而在一定程度上缓解了被外国“卡脖子”的情况。

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