ASML的光刻机是各大晶圆巨头争相抢购的对象，三星李在镕都亲自前往荷兰ASML总部，希望获得更多先进光刻机。
例如，台积电获得了大量的EUV光刻机，几乎占ASML产能的一半，从而产量了全球超63%的EUV晶圆。
在NA EUV光刻机上，英特尔抢先一步，不仅最先获得NA EUV光刻机，2024年规划的10台产能中，其中6台都是英特尔。
根据ASML发布的消息可知，NA EUV光刻机是生产制造2nm芯片的最佳设备，三星台积电都在引入NA EUV光刻机。
早在2022年，ASML CEO公开称，光刻技术经过数十年的创新发展之后，High-NA EUV 可能走到了该技术的尽头。
NA EUV光刻机可以将芯片制程缩小至2nm/1.8nm等，未来ASML的光刻机，将会更重注重环保和效率。
换句话说就是，EUV光刻机太费电，价格也很贵，NA EUV光刻机之后，AMSL将会进一步提升技术，降低光刻机的耗电量，降低生产成本等。
但没有想到的是，ASML 经过 1 年多的探索，又取得了新的突破，Brink 在《2023 年度报告》中提出了 Hyper-NA EUV 概念，有望 2030 年问世。
《报告》中提到，NA 高于 0.7 的 Hyper-NA 无疑是新机遇，将成为 2030 年之后的新愿景。
Hyper-NA 和逻辑电路息息相关，成本比 High-NA EUV 双重曝光（Double Patterning）更低，也为 DRAM 带来新机遇。
对于 ASML 来说，Hyper-NA 可以推动我们的整体 EUV 能力平台，以改善成本和交付周期。
其实，EUV光刻机已经很先进了，但却没能大力普及，就是因为产能和成本。
数据显示，ASML一年可生产500余台 duV光刻机，但EUV光刻机的产能仅在60台左右。
DUV光刻机的售价在2000万到5000万美元之间，EUV光刻机的售价约2亿美元，而NA EUV光刻机的售价更是超过3.5亿美元。
由于设备成本和折旧费用太高，台积电都多次对7nm以下工艺进行涨价，因为7nm以下工艺，需要用到EUV光刻机。
全球范围内，28nm以上成熟工艺，可以满足七成以上的芯片需求，7nm等以下工艺，仅用在手机等少数高性能设备上。
魏哲家公开称，新能源汽车给成熟工艺芯片，带来了巨大的机遇，这个机遇比智能手机还大，但新能源汽车，采用往往都是28nm等成熟工艺芯片，仅车机和智驾上采用7nm等工艺的芯片，就是因为7nm等工艺芯片的成本太高。
新能源汽车又需要很多芯片，都采用7nm等工艺会让厂商和用户吃不消，纷纷选择成本更多的成熟工艺。
即便是苹果、英伟达这样的巨头，也吐槽先进芯片工艺太贵，3nm晶圆将近2万美元/片，2nm芯片晶圆可能会超过2.5万美元/片，要求台积电等代工厂降价。
造成先进芯片工艺价格高的主因，就是EUV光刻机等先进设备太高，生产芯片又消耗水和电，但每小时生产的晶圆数量却不多，又给EUV光刻机等设备带来了严重的折旧。
如今，ASML称Hyper-NA 可以推动整体 EUV 能力平台，以改善成本和交付周期，这无疑可以提升EUV光刻机产能，降低EUV光刻机的制造成本，从而降低先进工艺芯片的成本。
